Если в кристаллической решетке четырехвалентного кремния (Si) находится примесь трехвалентного бора (B), то такая примесь создает в решетке проводимость …
Потери на вихревые токи в магнитопроводах определяются по формуле …
где ΔV – абсолютное изменение объема, V0 – начальный объем изделия
,
где n – концентрация электронов, е – заряд электрона, λ – длина свободного пробега электрона, me – масса электрона; vт – средняя скорость теплового движения электрона
где η – коэффициент, зависящий от природы материала, Bm – максимальная индукция в течение цикла намагничивания, n = 1,6 – 2,0 в зависимости от величины Bm, f – частота напряжения
где Bm – максимальная индукция в течение цикла намагничивания, f – частота напряжения, h – толщина элемента магнитопровода, d – плотность материала, ρ – удельное электрическое сопротивление материала